Да я поясняю не только для Вас (Вам, похоже, не особо нужно). Много других участников, по роду занятий далеких от БП импульсных. Но не забудьте, что для промышленности или для себя, любимого - подходы разные.
Я, конечно же, использовал IGBT, как и сейчас в серьезных преобразователях, я полагаю (сетевых, там падение на коллекторе ни о чем). Но начинал, конечно, с ключевых, которые горели на моих условиях, как спички. Плазма шуток не любит. Конечно, дизайн всей электроники шагнул, шагнул. С использованием компьютеров для оптимизации - конечно. И тем не менее. В сердечниках рассеивается примерно еще половина. В общем... много всего надо иметь в виду. Я, пока сам не померю, никогда даташитам китайским верить не буду. Образование не позволяет. И опыт.
И думете 13 нФ мало?... Посчитайте. Учтите, что заряд должен происходить за время раз в 10 меньше того, что вы хотите на фронт, а на фронт надо менее единицы микросекунд. Тогда реальный фронт будет единицы микросекунд. И Вы удивитесь, как такой крутой транзистор хреново работает, полезете в даташиты и раз, и два и три, пока не обнаружите, в чем же там дело.. (они напрямую не обманывают, они даже не умалчивают. Они просто ту информацию прячут грамотно). А оказывается, чтоб он работал, как в букваре, надо еще один каскад ему городить. А что будет в РЕАЛЬНОЙ схеме на РЕАЛЬНОЙ плате....
Посмотрите схему стандартного сварочника, рекомендую, если не видели. А там не на много больше мощности. Просто делают для профессионального использования.
А избыточность по даташитам... Ну, сами понимаете.... Приходится всегда брать в 10 раз больше. Практика-с. В реальной схеме у вас сразу возникают непредвиденные эффекты, которые не устраняются, ибо принципиально являются продолжением идеологии схемотехники, но ты об этом подумал поздно, а потом понял, что изменив идеологию, упрешься в другие ограничения.
Сообщение отредактировал alexk61: 21 февраля 2021 - 03:50